IGBT قطعه‌اي با اهميت جهت ساخت سوئيچ استاتيك كارا در زمينهء الكترونيك قدرت مي‌باشد. تقريبا از سال 1990 به بعد، عمدهء پيشرفتها در زمينه الكترونيك قدرت براساس استفاده از IGBT بوده است . با استفاده از IGBT ابعاد مبدلها كاهش چشمگيري مي‌يابد و عمليات كنترل و سوئيچ توانهاي بالا به سهولت انجام مي‌پذيرد. هدف از اجراي اين پايان‌نامه مطالعه رفتار IGBT، ارائهء يك مدل رفتاري براي آن و بررسي عملكرد IGBTها در مدولهاي موازي و سري به منظور دستيابي به سوئيچهاي استاتيك با توانايي تحمل ولتاژ و جريان بيشتر است . در اين پايان‌نامه ابتدا خلاصه‌اي از تاريخچه و روند پيشرفت قطعات نيمه هادي قدرت و جايگاه IGBT در ميان ديگر قطعات نيمه هادي قدرت ارائه شده است . با توجه به اينكه IGBT در ميان ديگر قطعات نيمه‌هادي قدرت ارائه شده است . با توجه به اينكه IGBT تركيبي از ترانزيستورهاي MOSFET قدرت و BJT است ، رفتار و مشخصات اين دو نوع ترانزيستور مورد بحث قرار گرفته و سپس فيزيك IGBT، نحوهء كار، توانايي‌ها و محدوديتهاي آن بررسي گرديده است . بر مبناي بررسي‌هاي فوق‌الذكر يك مدل رفتاري (Macro model) براي IGBT با توجه به رفتار پايانه‌اي آن پيشنهاد شده است . اين مدل مي‌تواند در برنامه‌هاي طراحي به ياري كامپيوتر (CAD) مانند SPICE و تحليل مدارهاي سوئيچ عملي همراه با قطعات ديگر به كار گرفته شود. پارامترهاي مورد نياز اين مدل طوري تعريف شده‌اند كه طرح مدار مي‌تواند آنها را يا از طريق آزمايش و اندازه‌گيري بدست آورد و يا از برگه اطلاعات قطعه كه توسط سازندهء آن انتشار مي‌يابد، استخراج نمايد. بنابراين در ادامهء اين مبحث روشهايي براي اندازه‌گيري و استخراج پارامترهاي حالت ثابت و گذراي IGBT بيان شده است . پس از ارائه مدل براي IGBT، روشهاي موازي و سري كردن آنها منظور دستيابي به يك سوئيچ استاتيك كارا با قابليت تحمل ولتاژ و جريان بالا بررسي شده است .

اين بررسي موارد عملي و نيز تحليل كامپيوتري را شامل مي‌شود و با بكارگيري مدل پيشنهادي، تصديق متقابل نتايج اندازه‌گيري شده و شبيه‌سازي شده نشان داده شده است . نتايج حاصل در اين قسمت نشان مي‌دهد كه تطبيق خوبي بين نتايج عملي و نتايج شبيه‌سازي وجود دارد و مدل مورد تاييد و اعتماد مي‌باشد. مطالعهء اين مبحث همچنين شناخت دقيقتري از پارامترهاي IGBT و تاثير هر كدام در رفتار IGBT را، ميسر مي‌سازد.